1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۳ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

فیلیپس VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D cMLC
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 370,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 500 MB
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 8 گرم
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D TLC
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 370,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

وزن محصول ۳۴.۴ گرم 8 گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

Samsung VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC QLC
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 370,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 Yes
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه