مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ T9 USB 3.2 Gen 2×2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ T9 USB 3.2 Gen 2×2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit hardware encryption
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 14 * 60 * 88 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 122 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2×2
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از حالت UASP ** سازگار با نرم افزار Samsung Magician
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -

مقایسه ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 1 تربایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 1 تربایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) SanDisk BiCS4 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Realtek RTS5763DL Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 350,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC -
اندازه و ابعاد 3.85 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10.5 گرم 8 گرم
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage diskAshur PRO3 4 ترابایت | FIPS 140-3 L3 | AES 256 بیتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage diskAshur PRO3 4 ترابایت | FIPS 140-3 L3 | AES 256 بیت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۳ * ۲۰.۸ * ۱۳۱ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۲۵۷ گرم 8 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۴۴۸ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۴ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Metal -
مجوزها و تاییدیه‌ها C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS, ۲۵۶-bit AES-ECB, ۲۵۶-bit AES-CBC AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 435 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.25 وات * حالت خواندن ** 1.28 وات * حالت نوشتن ** 0.3 میلی‌وات * حالت آماده باش 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 59 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 1.6 وات هنگام استفاده ** 510 میلی‌وات * حالت استندبای 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.2 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 40 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم ۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه کینگ مکس SMV32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس SMV32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت Idle 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم ۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مواد بدنه - Plastic
رنگ‌بندی - سفید

مقایسه کینگ مکس SMQ32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس SMQ32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS 350,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2 W 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 8 گرم
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUSبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUS

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اندازه و ابعاد M.2 (۵۵.۶ * ۱۱۶.۲ * ۱۵.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۱۵۵ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه USB ۳.۲ Gen ۲x۲ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه Aluminium, Silicone -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی سفید -
وزن محصول ۵۶ گرم 8 گرم
اندازه و ابعاد ۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false