| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | SATA | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | SATA 6Gb/s | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2.5 اینچ | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 2 ترابایت | 2 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D TLC NAND | Samsung 48-Layer MLC V-NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | 540 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 490 مگابایت بر ثانیه | 2100 مگابایت بر ثانیه |
| حافظه DRAM | ندارد | دارد |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 5 ولت | - |
| طول عمر متوسط | 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) |
| کنترلر (Controller) | - | Samsung Polaris |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | - | 440,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | - | 360,000IOPS |
| نوع حافظه DRAM | - | 2GB LP DDR3 |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | ندارد | دارد |
| سیستمعاملهای سازگار | ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر | - |
| قابلیتهای جانبی | الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه | - |
| فناوری رمزنگاری | - | AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 |
| مجوزها و تاییدیهها | FC, CE, RoHS | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 7 * 69.9 * 100 میلیمتر | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | - | 9 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
| میزان توان مصرفی | - | 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلیوات * حالت آماده باش ** 8 میلیوات * حالت DevSlp |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!