1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 9

صفحه 9 از مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND ۳D cMLC
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 8.5 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 360,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung 48-Layer MLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۱۰۰۰ IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 360,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۴۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 360,000IOPS
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶۹ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 360,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلیو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS 360,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۰ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 1 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶.۵ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فیلیپس VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung 48-Layer MLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 360,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه