1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 10

صفحه 10 از مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وزن محصول ۱۶۴ گرم 8.5 گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سن‌ دیسک PRO-G40 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سن‌ دیسک PRO-G40 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سن‌ دیسک PRO-G40 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS Sandisk
ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سن‌ دیسک PRO-G40 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 35 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 12 * 58 * 111 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 121.2 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 به بالا ** مک OS 10.13 به بالا
مواد بدنه - آلومینیوم
محتویات جعبه - کابل Thunderbolt 3 ** کابل USB 3.2 Gen 2 ** دفترچه راهنما
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung 48-Layer MLC V-NAND
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 8.5 گرم
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
VS
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 8.5 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وزن محصول ۳۴.۴ گرم 8.5 گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 360,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
VS
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 8.5 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS 360,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

دِل VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
وزن محصول - 8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه