صفحه 17 از مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 64L TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	73,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3	512MB LP DDR3
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک ان*وید	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از UASP برای افزایش سرعت خواندن و نوشتن * حافظه‌های اکسترنال ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, TUV, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
مواد بدنه	فلز و پلاستیک	-
اندازه و ابعاد	9.2 * 65 * 92 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	58 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 15.2 سانتی‌متر تبدیل USB Type-A به USB Type-C دفترچه راهنما	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	390,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Corsair VS Samsung

ویژگی	کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	7100 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	سازگار با پلی‌استیشن 5	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	-
اندازه و ابعاد	11 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	340 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون SA400M8 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون SA400M8 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	320 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 40 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال	-
اندازه و ابعاد	1.35 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.5 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS توین موس

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	155 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک OS نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
رنگ‌بندی	-	خاکستری، رزگلد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS بلو

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	BiCS3 64Layer WD 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	100,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	80,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	2.85 وات * حالت خواندن ** 4.40 وات * حالت نوشتن 70 میلی‌وات به صورت میانگین 52 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 6 تا 9.7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 ×69.85 × 100.5 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	59.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Acer VS Samsung

ویژگی	اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,618IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	30,176IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.71 وات * حالت فعال ** 315 میلی‌وات * حالت Idle	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 15G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * نرم‌افزار Apacer SSD Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	KCC, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI, RoHS	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	59 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پاتریوت Burst SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

پاتریوت VS Samsung

ویژگی	پاتریوت Burst SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison S11	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	32 MB SDR	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 835 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مدیریت مصرف برق	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	78.6 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

پاتریوت VS Samsung

ویژگی	پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت فعال ** 0.06 وات * حالت استندبای	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 10 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	9.8 * 31.5 * 103 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	35 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	1 عدد کابل Type-C به Type-A ** 1 عدد کابل Type-C به Type-C	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لسی STHK2000800 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لسی VS Samsung

ویژگی	لسی STHK2000800 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	10.2 * 78.7 * 94 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	90 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه