1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 7

صفحه 7 از مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه PCI Express ۲.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 7.7 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
VS
مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC ۳D TLC
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 7.7 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 7.7 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS 300,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 7.7 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

وزن محصول ۱۶۴ گرم 7.7 گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 7.7 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
VS
مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 7.7 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گیگابایت VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

فیلیپس VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 7.7 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه