صفحه 6 از مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا SSD اینترنال 135399

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	SSD اینترنال 135399
نوع کاربری حافظه	درایو حالت جامد داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe Gen3x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
شیوه اتصال	NVMe Gen3x4	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	تا 2400 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	کنترلر اصلی با کیفیت بالا	Samsung Polaris
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
قابلیت‌های جانبی	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه	SSD، مستندات	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۳۲۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۲.۸ گرم	7.7 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

دِل VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	250 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	-	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.۲
وزن محصول	7.7 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	250 MB
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۹ گرم	7.7 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	-	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Samsung V-NAND 3- bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۷۰۰۰ IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۱۰۰۰ IOPS	300,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷۰ گرم	7.7 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	-	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	7.7 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	-	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	۳D TLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	۱۴۰۰
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	7.7 گرم	۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	۳D cMLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	7.7 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	Yes
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	7.7 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کلیو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	300,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۱۰ گرم	7.7 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گیگابایت VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
وزن محصول	-	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه