مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVOبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express
نوع کاربری حافظه اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم -
رنگ‌بندی مشکی -
شیوه اتصال -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
طراحی و ابعاد دستگاه -

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 Yes
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND V-NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
میزان ظرفیت حافظه - ۱ ترابایت
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۶۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVOبا

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
پورت اتصال حافظه PCI Express M.2 2280
نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
فناوری رمزنگاری Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND آخرین حافظه NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) M.2 2280
وزن محصول ۸ گرم -
رنگ‌بندی مشکی -
شیوه اتصال - NVMe
کنترلر (Controller) - کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی - کارآمد

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 Yes
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) V-NAND
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
فناوری رمزنگاری - Yes
نرخ نوشتن ترتیبی - ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۶۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVOبا

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 NVMe
پورت اتصال حافظه PCI Express M.2 2280
نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
فناوری رمزنگاری Yes رمزگذاری AES 256 بیتی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰۰ IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم تقریباً 8.0 گرم
رنگ‌بندی مشکی سیاه
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
حافظه DRAM - بله
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
قابلیت پشتیبانی از NCQ - بله
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی - عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS ۳۶۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND
کنترلر (Controller) PHISON E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۳۶۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS ۳۶۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۳۶۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۴۶ گرم
رنگ‌بندی مشکی -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS ۳۶۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۶۰۰۰۰ IOPS
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی