مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۶۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVOبا

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express
نوع کاربری حافظه اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم -
رنگ‌بندی مشکی -
شیوه اتصال -
کنترلر (Controller) -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
میزان توان مصرفی -

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND
کنترلر (Controller) -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
فناوری رمزنگاری - Yes
نرخ نوشتن ترتیبی - ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۶۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVOبا

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express
نوع کاربری حافظه اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم
رنگ‌بندی مشکی
شیوه اتصال -
حافظه DRAM -
کنترلر (Controller) -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
میزان توان مصرفی -

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS ۳۶۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND
کنترلر (Controller) PHISON E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۳۶۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS ۳۶۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۳۶۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۴۶ گرم
رنگ‌بندی مشکی -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS ۳۶۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۶۰۰۰۰ IOPS
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

ویژگی

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 EVO

وزن محصول ۳۴.۴ گرم ۸ گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
پورت اتصال حافظه - PCI Express
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
میزان ظرفیت حافظه - ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی - ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۱۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۶۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - مشکی