صفحه 4 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۴۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۸ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۸ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) M.۲
وزن محصول ۴۶ گرم ۹ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
رنگ‌بندی - Black, Green
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V ۵ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۴۶ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVOبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۸ ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V ۵ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۴۶ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVOبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۸ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۴۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۵۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVOبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۸ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۶۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول ۴۶ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۸ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۴۸۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, RoHS -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V ۵ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۴۶ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVOبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۸ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

ویژگی

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۸ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۲۵۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۷۴۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷ گرم ۴۶ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V