1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 3

صفحه 3 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVOبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۸ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 800,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۳ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۷ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
VS
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۸ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

لنوو VS سامسونگ
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۱۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۴۶ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۴۶ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

وزن محصول ۱۶۴ گرم ۴۶ گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
میزان ظرفیت حافظه - ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه - Serial ATA III
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

کلیو VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۰ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVOبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

سامسونگ VS ایکس‌پی‌جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۸ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۸ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۵ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۷ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه