مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	46 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	-	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی	-	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
وزن محصول	۱۶۴ گرم	46 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه	Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	-	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی	-	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

دِل VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	1 ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی	-	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
اندازه و ابعاد	PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۹ گرم	46 گرم
محتویات جعبه	HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی	-	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال 135398

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال 135398
نوع کاربری حافظه	اینترنال	حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه	SATA	M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	M.2 2280
وزن محصول	46 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی	-	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال 135396

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال 135396
نوع کاربری حافظه	اینترنال	SSD داخلی
پورت اتصال حافظه	SATA	M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung Elpis Controller
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM	true	بله
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	بله
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	بله
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	رمزگذاری AES 256 بیتی
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول	46 گرم	تقریباً 8.0 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
رنگ‌بندی	-	سیاه
محتویات جعبه	-	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	۳.۳ V
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	Yes
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	46 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	46 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	46 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۲ گرم	46 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	46 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	46 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه