مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 8 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۲۵۰۰۰ IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۷۴۰۰۰ IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۷ گرم 46 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 8 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

وزن محصول ۱۶۴ گرم 46 گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه - 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی - 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 8 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 8 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس
وزن محصول - 46 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 8 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 46 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه SATA M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 8 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس Windows (برای عملکرد داشبورد)
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 46 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

وزن محصول ۳۴.۴ گرم 46 گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه - 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی - 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 8 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایتبا SSD اینترنال 135398

ویژگی

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

SSD اینترنال 135398

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه SATA M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) Samsung MKX کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 8 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 46 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایتبا SSD اینترنال 135399

ویژگی

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

SSD اینترنال 135399

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 SATA 6Gb/s
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 8 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا Samsung MKX
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2.5 اینچ
نرخ نوشتن ترتیبی - 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 8 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 46 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایتبا SSD اینترنال 135396

ویژگی

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

SSD اینترنال 135396

نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
پورت اتصال حافظه SATA M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung MKX Samsung Elpis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM true بله
نوع حافظه DRAM 8 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW) نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
میزان توان مصرفی 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
قابلیت پشتیبانی از NCQ false بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 رمزگذاری AES 256 بیتی
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول 46 گرم تقریباً 8.0 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
رنگ‌بندی - سیاه
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 46 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 8 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایتبا SSD اینترنال 135397

ویژگی

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

SSD اینترنال 135397

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 SATA 6Gb/s
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه - 8 ترابایت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 8 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 46 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 8 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,880 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی - 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 8 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.4 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 و بالاتر ** مک OS X ** لینوکس
وزن محصول - 46 گرم
نشانگر وضعیت LED - false