مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	46 گرم	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	46 گرم
میزان توان مصرفی	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	4 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ایکس پی جی VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	11 گرم	46 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	290,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR3L	4 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	- استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	46 گرم	60 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,440 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه