1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 6

صفحه 6 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

فناوری رمزنگاری Yes Yes
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم ۸۶.۲ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

msi VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۲۴۰۰
میزان توان مصرفی حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۸۶.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) -
وزن محصول ۸۶.۲ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۷ گرم ۸۶.۲ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) ۲.۵"
وزن محصول ۸۶.۲ گرم ۵۸ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - مشکی
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸۶.۲ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ ۶۰۰
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول ۸۶.۲ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
مشاهده جزئیات مقایسه