صفحه 3 از مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اکسترنال ای دیتا SC730با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اکسترنال ای دیتا SC730

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 5 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۷.۸ گرم 46 گرم
اندازه و ابعاد ۳۶.۸ * ۹.۷ * ۲۳.۸ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM

مقایسه اس اس دی اکسترنال ای دیتا SD620با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اکسترنال ای دیتا SD620

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 5 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۵ تا ۵۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه Silicone -
رنگ‌بندی قرمز -
وزن محصول ۵۴.۹ گرم 46 گرم
اندازه و ابعاد ۸۰ * ۱۵.۲ * ۸۰ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اکسترنال ورباتیم Pocket USB 3.2 Gen 2 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اکسترنال ورباتیم Pocket USB 3.2 Gen 2 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s No
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 No
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 46 گرم ۵۸ گرم
رنگ‌بندی - Blue, White
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۲۹ * ۹۲ * ۹ میلی‌متر
وزن محصول 46 گرم ۲۹ گرم
مواد بدنه - Aluminium
رنگ‌بندی - نقره‌ای

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتنبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۷۵ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۷۵ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Aluminium, Rubber -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۸۵ گرم 46 گرم
اندازه و ابعاد ۴ * ۱۰.۵ * ۱.۵ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Trade Agreements Act (TAA) CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه اس اس دی اکسترنال امن iStorage diskAshur² 1 ترابایت آبی - با رمزگذاری سخت‌افزاری 256 بیتی AES-XTS، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غباربا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اکسترنال امن iStorage diskAshur² 1 ترابایت آبی - با رمزگذاری سخت‌افزاری 256 بیتی AES-XTS، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غبار

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی آبی -
وزن محصول ۱۸۰ گرم 46 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۶۲ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۵۸ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Rubber, Silicone -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA) CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false

مقایسه لکسار NM700 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

لکسار NM700 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Marvell 88SS1092 Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 293,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 272,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR3 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 46 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 512 گیگابایت مشکی - USB-C

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 512 گیگابایت مشکی - USB-C

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s No
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 No
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 (۵۴ * ۷۴.۸ * ۱۲.۵ میلی‌متر)
وزن محصول 46 گرم ۳۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی
مواد بدنه - Plastic

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت | USB 3.2 Gen 2 | مشکی/خاکستری

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت | USB 3.2 Gen 2 | مشکی/خاکستری

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s No
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 No
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 46 گرم ۵۸ گرم
رنگ‌بندی - Black, Grey
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJD500400

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJD500400

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.5" (۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر)
وزن محصول 46 گرم ۶۵ گرم
رنگ‌بندی - مشکی
مواد بدنه - Plastic

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول 46 گرم ۱۰۲ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر
وزن محصول 46 گرم ۶۵ گرم
مواد بدنه - Plastic
رنگ‌بندی - سفید