مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 2 تربایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 2 تربایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SanDisk BiCS4 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Realtek RTS5763DL Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد 3.85 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10.5 گرم 46 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه ام اس آی SPATIUM M461 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M461 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 630,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 4.1 وات هنگام استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
وزن محصول - 46 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
وزن محصول - 46 گرم

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 60,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 46 گرم -
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** پشتیبانی از کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت مشکیبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت مشکی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۱۸۰ گرم 46 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۶۲ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۵۸ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Rubber, Silicone -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA) CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH2T0S 2TB

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH2T0S 2TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۹۴ * ۱۷.۷ * ۴۰.۶ میلی‌متر
وزن محصول 46 گرم ۱۰۲ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل کینگستون XS1000 1TB USB 3.2 Gen 2با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل کینگستون XS1000 1TB USB 3.2 Gen 2

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Metal, Plastic -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۴۴.۸ گرم 46 گرم
اندازه و ابعاد ۳۲.۶ * ۶۹.۵ * ۱۳.۵ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MKX Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 320,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 46 گرم 8 گرم

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 2 ترابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 2 ترابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اندازه و ابعاد M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۸۶ گرم 46 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۷۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۷۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Zinc -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA) CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 5 ولت
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی سفید -
وزن محصول ۵۶ گرم 46 گرم
اندازه و ابعاد ۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 4 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتنبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 4 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۷۵ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۷۵ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۵ تا ۵۵ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Aluminium, Rubber -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۸۵ گرم 46 گرم
اندازه و ابعاد ۴۰ * ۱۰۵ * ۱۵ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Trade Agreements Act (TAA) CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 5 ولت
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی سفید -
وزن محصول ۵۶ گرم 46 گرم
اندازه و ابعاد ۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667