صفحه 16 از مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	60 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر شوک ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTTF) ** 40 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM1735 MZPLJ6T4HALA-00007 ظرفیت 6.4 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ PM1735 MZPLJ6T4HALA-00007 ظرفیت 6.4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x8	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	6.4 ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	8000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ایکس انرژی VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	62 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

فدک مموری VS Samsung

ویژگی	فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	60 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

سیلیکون پاور VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC	-
مواد بدنه	پلاستیک	-
اندازه و ابعاد	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A	-
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ASUS VS Samsung

ویژگی	ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2.5 اینچ
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 40 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا Mac OS X 10.6 به بالا ان*وید (دستگاه‌های دارای OTG)	-
قابلیت‌های جانبی	سرعت انتقال داده تا 10 گیگابیت بر ثانیه پشتیبانی از SSD با فرم فکتورهای 2230/2242/2260/2280 دارای نگهدارنده با قلاب R شکل به منظور حمل آسان ** دارای نورپردازی ARGB با پشتیبانی از فناوری ASUS Aura Sync و ROG Strix Arion	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
اندازه و ابعاد	10.9 * 47.7 * 124.5 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	98 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل USB-C به USB-A کابل USB-C به USB-C پین اجکتور ** دفترچه راهنما	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ASUS VS Samsung

ویژگی	ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2.5 اینچ
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 40 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا Mac OS X 10.6 به بالا ان*وید (دستگاه‌های دارای OTG)	-
قابلیت‌های جانبی	سرعت انتقال داده تا 10 گیگابیت بر ثانیه پشتیبانی از SSD با فرم فکتورهای 2230/2242/2260/2280 دارای نگهدارنده با قلاب R شکل به منظور حمل آسان ** دارای نورپردازی ARGB با پشتیبانی از فناوری ASUS Aura Sync و ROG Strix Arion	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
اندازه و ابعاد	10.9 * 47.7 * 124.5 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	98 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل USB-C به USB-A کابل USB-C به USB-C پین اجکتور ** دفترچه راهنما	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Ultimate SU650 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU650 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	Maxiotek	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	410 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	40,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 70 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ نرم‌افزار SSD ToolBox نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	52,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.5 W	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	71 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا ویکومن VC600 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

ویکومن VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	ویکومن VC600 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	97,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5 وات در حالت فعال	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	7 * 70 * 100 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

سابرنت VS Samsung

ویژگی	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	2GB LPDDR4
طول عمر متوسط	1800 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	12.7 * 72.13 * 101.85 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	68 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه