صفحه 14 از مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش و ضربه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 41 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 7 * 70 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 0.06 وات * حالت استندبای 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 10 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 9.8 * 31.5 * 103 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محتویات جعبه 1 عدد کابل Type-C به Type-A ** 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,618IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 30,176IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.26 وات * حالت فعال ** 0.32 وات * حالت آماده باش 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** نرم‌افزار Apacer SSD Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها KCC, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 59 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه اپیسر AS340X SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اپیسر AS340X SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED true false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,618IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 30,176IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.26 وات * حالت فعال ** 0.32 وات * حالت آماده باش 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** نرم‌افزار Apacer SSD Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها KCC, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 59 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) InnoGrit IG5236 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
نوع حافظه DRAM DDR4 2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2000 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی سازگار با محصولات AMD با استاندارد PCIe 4.0 ** قابلیت انتخاب بین 2 محافظ حرارتی آلومینیومی و گرافین -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 8 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 HS ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 HS ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 4900 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 525,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.2 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.4 × 22 × 80 ميلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه ای دیتا LEGEND 850 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 850 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4200 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 450 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** سازگار با کنسول بازی PS5 ** نرم‌افزار SSD ToolBox -
اندازه و ابعاد 3.63 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.65 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم (با هیت سینک) ** 5.5 گرم (بدون هیت سینک) 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SanDisk 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) WD Architecture Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1750 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 175,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 3.5 وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CAN, CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 6.5 گرم 62 گرم
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false