صفحه 8 از مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۶۰۰۰ IOPS	89,000IOPS
اندازه و ابعاد	M.۲	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۲.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
وزن محصول	-	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۳۲۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۲.۸ گرم	62 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	89,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	62 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۶۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۲.۶ گرم	62 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	5 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	62 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
وزن محصول	۱۶۴ گرم	62 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه	Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	-	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	۳.۳ V
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	62 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	62 گرم	۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

Samsung VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	۳D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۲۵۰
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	62 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۷۵۰۰ IOPS	89,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
وزن محصول	-	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	62 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	-	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	62 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه