صفحه 13 از مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا Ultimate SU650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Ultimate SU650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 40,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTTF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 47.5 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 435 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.25 وات * حالت خواندن ** 1.28 وات * حالت نوشتن ** 0.3 میلی‌وات * حالت آماده باش 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 59 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4

مقایسه ای دیتا Falcon NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Falcon NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Realtek RTS5762DL Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC -
اندازه و ابعاد 2.9 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 62 گرم
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 620 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.85 W 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کینگستون SA400M8 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگستون SA400M8 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 320 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 40 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال -
اندازه و ابعاد 1.35 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.5 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Marvell 88NV1120 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
اندازه و ابعاد ضخامت 7 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 36 گرم 62 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 384Gbit 32-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 555 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 515 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 145 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.27 وات * حالت فعال ** 0.34 وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 50 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 660,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2500 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E19T Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 380,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 540,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 4.5 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه ال جی 32 اینچ مدل 32GN600با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ال جی 32 اینچ مدل 32GN600

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اندازه بدون پایه 77.5 * 428 * 714.7 میلی‌متر -
وزن خالص بدون پایه 5.2 کیلوگرم -
اندازه با پایه 224.8 * 515.1 * 714.7 میلی‌متر -
وزن کلی با پایه 5.9 کیلوگرم -
قابلیت تنظیم ارتفاع پایه false -
قابلیت تنظیم چرخش عمودی (Tilt) true -
قابلیت تنظیم چرخش افقی (Swivel) false -
قابلیت چرخش ۳۶۰ درجه (Pivot) false -
اندازه نمایشگر 32 اینچ -
فناوری پنل VA -
سیستم نوردهی پس‌زمینه W-LED -
عمق بیت پنل (bit-depth) 8 بیت -
تعداد رنگ‌های پشتیبانی‌شده 16 میلیون رنگ -
رزولوشن (Resolution) تصویر پنل 1440 × 2560 -
تراکم پیکسل در نمایشگر 93 پیکسل در هر اینچ -
نسبت تصویر صفحه‌نمایش 16:9 -
اندازه و رزولوشن تصویر پنل QHD / 1440p -
درصد پوشش فضای رنگ sRGB 95 درصد -
نسبت کنتراست استاتیک 3000 : 1 -
محدوده زاویه دید افقی 178 درجه -
زاویه دید عمودی به درجه 178 درجه -
حداکثر نرخ نوسازی (Refresh Rate) 165 هرتز -
حداقل نرخ نوسازی (Refresh Rate) 48 هرتز -
حداقل زمان پاسخ‌گویی (Response Time) 5 میلی‌ثانیه -
نوع پوشش صفحه‌نمایش مات -
قابلیت پخش سه‌بعدی false -
زمان تاخیر ورودی 4.5 میلی‌ثانیه -
نوع بلندگو false -
پشتیبانی از خروجی صدای دیجیتال false -
پشتیبانی از ورودی 3.5 میلی‌متری false -
پورت خروجی هدفون true -
مصرف برق در حالت استندبای 0.3 W -
ماکزیمم توان مصرفی 63 W -
محدوده دمای کاری 0 تا 40 درجه سانتی‌‌گراد -
نصب و اتصال به دیوار true -
توضیحات نصب روی دیوار استاندارد VESA از نوع 100 × 100 میلی‌متر -
سال ساخت و تولید 2020 -
محتویات جعبه کابل HDMI -
نام معادل LG UltraGear 32GN600 ** LG 32GN600-B -
نوع کاربری حافظه - اینترنال
پورت اتصال حافظه - SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه - 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 62 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اپیسر AS340 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اپیسر AS340 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.45 وات * حالت فعال ** 0.325 وات * حالت آماده باش 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
مجوزها و تاییدیه‌ها KCC, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 60 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit