مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 134,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 34,000IOPS -
حافظه DRAM false -
میزان توان مصرفی 5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه پاتریوت Viper VP4100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

پاتریوت Viper VP4100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 96L TLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1800 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی سازگار با محصولات AMD با استاندارد PCIe 4.0 ** قابلیت پایش دمای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار VIPER VP4100 SSD Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 8 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 25 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A80342با اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A80342

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۳.۲ ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۲۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲.۵" M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه SAS Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه SSD اینترنال لنوو مدل 4XB7A10237با اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

SSD اینترنال لنوو مدل 4XB7A10237

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت ۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۱۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۸ گرم
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا وسترن دیجیتال سری سبز WDS120G2G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

وسترن دیجیتال سری سبز WDS120G2G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC SLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 545 مگابایت برثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 (MTTF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 7 * 69.85 * 100.5 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 32.1 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard ** نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.085 وات * حالت خواندن ** 3.285 وات * حالت نوشتن ** 0.272 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
قابلیت‌های جانبی امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB * 5 حالت ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار RGB Fusion ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 8.1 * 22.3 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2600 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 302,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD Tool box -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, UKCA, KC, EAC -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M390 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M390 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) PHISON E15T -
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 3.2 وات هنگام استفاده ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال فوجیستو PY-TS80NPFبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال فوجیستو PY-TS80NPF

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۸۰۰ گیگابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND MLC
اندازه و ابعاد ۳.۵" M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه SAS Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 50 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 1.065 وات هنگام استفاده ** 400 میلی‌وات * حالت استندبای -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.2 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 40 گرم ۸ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison S11 -
نرخ خواندن ترتیبی 535 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 515 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 2 وات هنگام استفاده ** 30 میلی‌وات * حالت استندبای -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 99.06 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 45 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Crucial Architecture -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد - M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۸ گرم