صفحه 8 از مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 170,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 0.11 وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7.5 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 2.8 آمپر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard ** نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 2175 گرم
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 46 گرم
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه - پلاستیک
نشانگر وضعیت LED - false
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC SLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7، 8، 10 ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی - استاندارهای FCC , CE , ROHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 90,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 82,000ّIOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 50 میلی‌وات * حالت فعال ** 1.8 وات * حالت خواندن ** 2.0 وات * حالت نوشتن ** 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 4.8 گرم
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 10 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 100 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز (7،8،8.1،10) ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX WD NVMe Architecture
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 540,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 SK Hynix DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7.5 گرم
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
مجوزها و تاییدیه‌ها - UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1.92 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 46 گرم
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه - پلاستیک
نشانگر وضعیت LED - false
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false