مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 3.9 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 320,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) SandForce 2200 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 535 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 97,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC MLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Transcend TS6500
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 70,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 512 MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 57 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 400,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 55 گرم
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 85,000ّIOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 37.4 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 45 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 100,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر