مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 86 گرم
میزان توان مصرفی 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 90,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 4 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX Samsung MJX

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Elpis

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Phoenix

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 DDR3L
کنترلر (Controller) Samsung MJX SMI SM2262EN

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Phoenix

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 86 گرم 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Phoenix Controller

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung In-House Controller

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 -
کنترلر (Controller) Samsung MJX DM620

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 NANYA DDR3
کنترلر (Controller) Samsung MJX SMI SM2262EN

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Elpis

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 86 گرم 98 گرم
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -