1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه با سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

KingSpec VS Samsung
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 SATA 6Gb/s
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا Samsung MJX
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2.5 اینچ
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 86 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه با سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

Crucial VS Samsung
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 SATA 6Gb/s
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه - 4 ترابایت
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 86 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا

Samsung VS Samsung
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه SATA M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 86 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا

Samsung VS Samsung
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
پورت اتصال حافظه SATA M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Elpis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM true بله
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
قابلیت پشتیبانی از NCQ false بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 رمزگذاری AES 256 بیتی
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول 86 گرم تقریباً 8.0 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
رنگ‌بندی - سیاه
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

Samsung VS Sandisk
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS 90,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۳ گرم 86 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

وزن محصول ۳۴.۴ گرم 86 گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه - 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

Samsung VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 86 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 86 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Samsung VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 Yes
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 86 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۴۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 86 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 90,000IOPS
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۶۹ گرم 86 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه