1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1.92 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 46 گرم
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه - پلاستیک
نشانگر وضعیت LED - false
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 1,550,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9 گرم
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام اس آی VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E18 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9.7 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 100,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MGX Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ترنسند
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS وسترن دیجیتال
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX WD NVMe Architecture
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 540,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 SK Hynix DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7.5 گرم
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
مجوزها و تاییدیه‌ها - UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS وسترن دیجیتال
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 120,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 200 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7.5 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ویکومن
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 55 گرم
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه