صفحه 27 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 480 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258 -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 95,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 240 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه کینگ مکس SMV32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کینگ مکس SMV32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 71 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کینگ اسپک P3-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کینگ اسپک P3-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) MK8115/INIC6081 -
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 570 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 24,500IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 174 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.4 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد -
اندازه و ابعاد 7 * 70 * 100.4 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2780 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 8.5 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Realtek RTS5733DMQ -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 47.5 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 512 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA -
میزان ظرفیت حافظه 64 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D MLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی -
اندازه و ابعاد 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 41 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اچ پی S750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اچ پی S750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 96Layer 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) HP H6578 -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 2.2 وات هنگام استفاده و 40 میلی‌وات در حالت استندبای -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 3G لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد ضخامت 6.7 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 50 گرم ۸ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GB

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GB

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

مایکرون M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۸ گرم