مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 5.0 x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 12400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 11800 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 11.5 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Encryption Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 10، 11 ** مک OS X -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G -
وزن محصول 11 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
اندازه و ابعاد - M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)

مقایسه کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 240 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D BiCS TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 555 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 79,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 87,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 65 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.6 وات * حالت فعال ** 100 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 7.20 * 70.10 * 100.45 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 45.5 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 465 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,750,000 (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 6.51 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 68,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 0.05 وات * حالت فعال ** 2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2258
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 75,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 470 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TWB)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** پشتیبانی از کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D BiCS TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 555 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 81,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 65 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت فعال ** 100 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 7.20 * 70.10 * 100.45 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 45.7 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2258
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 80,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE3100TNTD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

گیگابایت GP-GSM2NE3100TNTD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 295,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از Host Memory Buffer ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

پاتریوت Viper VP4300 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6400 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 800 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
اندازه و ابعاد - M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا وسترن دیجیتال Black SN770 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

وسترن دیجیتال Black SN770 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 5150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 4850 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 600 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 80 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 5.5 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 470 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 115 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه
نشانگر وضعیت LED - false