مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

ویژگی		اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen4 x4	-
شیوه اتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,100 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,000 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron G8 NAND	۳D MLC
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
میزان ظرفیت حافظه	-	۱ ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۳۲ تا ۱۵۸ °F
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

KingSpec VS سامسونگ

ویژگی		اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	درایو حالت جامد داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe Gen3x4	-
شیوه اتصال	NVMe Gen3x4	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	تا 2400 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)	۳D MLC
کنترلر (Controller)	کنترلر اصلی با کیفیت بالا	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
قابلیت‌های جانبی	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	SSD، مستندات	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۳۲ تا ۱۵۸ °F
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونگ VS Sandisk

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-
شیوه اتصال	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-
قابلیت‌های جانبی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
رنگ‌بندی	مشکی	سیاه
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	M.2 2280
نوع کاربری حافظه	اینترنال	SSD داخلی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	بله
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 NVMe
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
حافظه DRAM	-	بله
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis Controller
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	بله
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
فناوری رمزنگاری	-	رمزگذاری AES 256 بیتی
وزن محصول	-	تقریباً 8.0 گرم
محتویات جعبه	-	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
طراحی و ابعاد دستگاه	-	فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی	-	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	آخرین حافظه NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	M.2 2280
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	M.2 2280
نوع کاربری حافظه	اینترنال	حافظه فلش NAND
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
شیوه اتصال	-	NVMe
کنترلر (Controller)	-	کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی	-	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
فناوری رمزنگاری	-
محتویات جعبه	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
طراحی و ابعاد دستگاه	-	فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی	-	کارآمد

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۷ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	۱ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۳۲ تا ۱۵۸ °F
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	-
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	-	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۳۲ تا ۱۵۸ °F
رنگ‌بندی	-	مشکی
پورت اتصال حافظه	-	Serial ATA III
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۱ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۶.۵ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

کلیو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	۱۵۰
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۰ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۳۲ تا ۱۵۸ °F
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه