VS
VS

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO با SSD اینترنال 135399

مقایسه ویژگی‌ها

توانمندی‌ها
توانمندی‌ها
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T دارد بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM دارد بله
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
قابلیت‌های جانبی - تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری
ویژگی‌های فنی
ویژگی‌های فنی
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه تا 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)
کنترلر (Controller) - کنترلر اصلی با کیفیت بالا
ویژگی‌های ظاهری
ویژگی‌های ظاهری
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) M.2 2280
وزن محصول ۱۲۷ گرم -
رنگ‌بندی Green -
نوع ذخیره‌سازی
نوع ذخیره‌سازی
پورت اتصال حافظه Serial ATA III M.2 2280
نوع کاربری حافظه اینترنال درایو حالت جامد داخلی
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - NVMe Gen3x4
ویژگی‌های اصلی
ویژگی‌های اصلی
شیوه اتصال - NVMe Gen3x4
امکانات و ویژگی‌های اضافی
امکانات و ویژگی‌های اضافی
محتویات جعبه - SSD، مستندات
مشخصات کلی
مشخصات کلی
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
سلب مسئولیت: اطلاعات این صفحه ممکن است نیاز به بازبینی داشته باشد. در صورت مشاهده هرگونه مغایرت، لطفاً گزارش دهید

مقایسه امتیاز کاربران

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
0 /10
از مجموع 1 رای
SSD اینترنال 135399
0 /10
از مجموع 1 رای

پرسش و پاسخ درباره این مقایسه

هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.

اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح می‌کند!

پرسش شما پس از تایید نمایش داده خواهد شد

ثبت نظر و امتیاز برای این مقایسه

حداقل ۱۰ کاراکتر بنویسید
جستجوی محصول برای مقایسه