مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 360 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 63 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 46 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مواد بدنه - پلاستیک
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND Toshiba 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 Samsung Metis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 70 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 30,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption (Class 0)

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI RoHS, CE, FCC
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6.6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND SLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 470 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 115 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 WD NVMe Architecture
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 540,000IOPS
نوع حافظه DRAM - SK Hynix DDR4
میزان توان مصرفی - 100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit