صفحه 13 از مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	390,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI
وزن محصول	-	6.5 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS توین موس

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

PNY VS ام جی

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS msi

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS لکسار

ویژگی	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	DM620
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	256,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS Crucial

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison E13T
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	11800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,600,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	11.5 W
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10، 11 ** مک OS X
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
وزن محصول	-	11 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,200,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
وزن محصول	-	660 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	NAND Flash
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	180,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS KingSpec

ویژگی	کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D MLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
وزن محصول	-	41 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه