صفحه 12 از مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات
وزن محصول	-	2175 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS ام جی

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Silicon Motion SM2258
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	80,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS msi

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	700,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

PNY VS سیگیت

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
وزن محصول	-	47 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	700,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی	-	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
وزن محصول	-	62 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90.000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	62 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

PNY VS ام جی

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	42 گرم
محتویات جعبه	-	مایع خنک‌کننده

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTTF) ساعت
وزن محصول	-	3.9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	SMI SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, BSMI
وزن محصول	-	7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	MAP1202
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
رنگ‌بندی	-	آبی
وزن محصول	-	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS اچ پی

ویژگی	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB Micron DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
وزن محصول	-	5.4 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه