مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1650 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8.5 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS پی ان وای

ویژگی	لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	256 (TBW) ترابایت	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1650 مگابایت بر ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1650 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	62 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1650 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS پی ان وای

ویژگی	لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D QLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	DM928	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 1.6 آمپر	-
طول عمر متوسط	336 (TBW) ترابایت	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI,RCM	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1650 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال VS پی ان وای

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
قابلیت‌های جانبی	-	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

پی ان وای VS سیگیت

ویژگی	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1650 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS	RoHS
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	47 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1650 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	86 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

پی ان وای VS پی ان وای

ویژگی	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1650 مگابایت بر ثانیه	3900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	6.6 گرم
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1650 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال VS پی ان وای

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد	7 * 95 * 125 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
قابلیت‌های جانبی	-	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS پی ان وای

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	68 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
قابلیت‌های جانبی	-	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه