| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 250 MB |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | TOSHIBA 15nm Toggle MLC NAND | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| کنترلر (Controller) | Marvell 88SS1093 | Samsung Phoenix |
| نرخ خواندن ترتیبی | 2500 مگابایت بر ثانیه | 3400 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 1400 مگابایت بر ثانیه | 1500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 280,000IOPS | 200,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 240,000IOPS | 350,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | دارد |
| نوع حافظه DRAM | 1GB LPDDR3 | 512 MB LPDDR4 |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت / 2 آمپر | 3.3 ولت |
| طول عمر متوسط | 2,400,000 ساعت (MTBF) ** 768 ترابایت (TBW) | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| سیستمعاملهای سازگار | ویندوز نسخه 8.1 و بالاتر ** لینوکس | - |
| فناوری رمزنگاری | - | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 |
| مجوزها و تاییدیهها | UL, TUV, FCC, CE, BSMI, VCCI, RCM, KCC, EAC, ROHS, WHQL | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 3.65 * 22 * 80 میلیمتر | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 10 گرم | 8 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
| میزان توان مصرفی | - | 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلیوات * حالت DevSlp |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!