صفحه 13 از مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 260,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
وزن محصول 8 گرم 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - MAP1202
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
رنگ‌بندی - آبی

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 1,550,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS RoHS
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
نوع حافظه DRAM - LPDDR4

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 128 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 180,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - NAND Flash
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 230,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.5 وات در حالت فعال

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI SM2263XT

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 370,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
نوع حافظه DRAM - 1 MB Micron DDR3
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس سازگار با پلی‌استیشن 5 ** مک OS ایکس ** ویندوز 10
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 11 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 410 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12S
نوع حافظه DRAM - DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 11800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 1,600,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز 10، 11 ** مک OS X
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم 11 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 11.5 W
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 174 ترابایت (TBW)