مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت$

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ای دیتا VS OCPC

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	-
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	182,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	ویندوز مک لینوکس
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	68 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت$

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

کروشیال VS OCPC

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	CE, FCC, KCC, RoHS
اندازه و ابعاد	7 * 95 * 125 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	182,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	30,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	70 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Metis Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption (Class 0)

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت$

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	3.84 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	160 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
کنترلر (Controller)	-	Native SAS 3.0

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

OCPC VS سیلیکون پاور

ویژگی	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	240 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	SLC NAND
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, RoHS	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

OCPC VS سیلیکون پاور

ویژگی	او سی پی سی XT NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, RoHS	CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	63 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه