مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت

ایکس پی جی VS اچ پی

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	NVMe PCIe Gen3 x4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	11 گرم	-
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	290,000IOPS	110,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3350 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	3030 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR3L	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS اچ پی

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	NVMe PCIe Gen3 x4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	110,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3350 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3030 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایتبا او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا VS اچ پی

ویژگی	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر	ویندوز مک لینوکس
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
مجوزها و تاییدیه‌ها	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	NVMe PCIe Gen3 x4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر	-
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	60 گرم	-
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	110,000IOPS
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	440 مگابایت بر ثانیه	3350 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	3030 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	Maxio Technology MAS0902A	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3350 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3030 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3350 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3030 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3350 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3030 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3350 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3030 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3350 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3030 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3350 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3030 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3350 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3030 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3350 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3030 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3350 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3030 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه