صفحه 8 از مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	-
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	182,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	ویندوز مک لینوکس
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	-
وزن محصول	68 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	-	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	7.7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	30,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Metis Controller
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption (Class 0)
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	70 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

OCPC VS ام جی

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد	-	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا VS OCPC

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	-
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	182,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	ویندوز مک لینوکس
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	-
وزن محصول	68 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Crucial VS OCPC

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	-
وزن محصول	70 گرم	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	182,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS OCPC

ویژگی	کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	35,000IOPS	182,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.59 وات * حالت خواندن ** 2.515 وات * حالت نوشتن 0.693 وات به صورت میانگین 0.672 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** نرم‌افزار Acronis Data Migration	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	-
وزن محصول	57 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری * کیس کابل USB کابل ساتا کابل دیتا شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS OCPC

ویژگی	کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	-
کنترلر (Controller)	2Ch	-
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	350 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	-
وزن محصول	41 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	182,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8.3 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

OCPC VS توین موس

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	76,800IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	74,240IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	10 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

OCPC VS ام جی

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	-	12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه