صفحه 7 از مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 3.84 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC
کنترلر (Controller) - Native SAS 3.0
وزن محصول - 160 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
نوع حافظه DRAM - 512MBLPDDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 54.4 گرم

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D MLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 698 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
اندازه و ابعاد 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر -
وزن محصول 41 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 182,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES -
اندازه و ابعاد 7 * 95 * 125 میلی‌متر -
وزن محصول 70 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 182,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC)

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول - 51 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
نشانگر وضعیت LED false false
اندازه و ابعاد - 5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول - 68 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
اندازه و ابعاد - 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول - 47 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8.5 گرم

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 256 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر -
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ نوشتن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 182,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 46 گرم

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 182,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC)