صفحه 12 از مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.11 و بالاتر ** پلی‌استیشن 5 ** پلی‌استیشن 4 پرو ** پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر ** ایکس باکس سری S و X ** ایکس باکس وان
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
کنترلر (Controller) - ASMedia ASM2364
محدوده دمای عملیاتی - 5 تا 35 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 14 * 62 * 118 میلی‌متر
وزن محصول - 115 گرم
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC
وزن محصول - 35 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 480 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 85,000ّIOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) - Marvell 88SS1074
نوع حافظه DRAM - DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
اندازه و ابعاد - 7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول - 37.4 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد - 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 1,550,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد - 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E21T -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS 182,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 182,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 9.7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash -
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 182,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS 182,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 9.7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS 182,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس