صفحه 11 از مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز 7، 8، 10 ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) استاندارهای FCC , CE , ROHS
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 120,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 200 (TBW) ترابایت
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول - 7.5 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز (7،8،8.1،10) ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد - 10 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 100 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد - 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 100,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد - 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد - 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1655 (TBW) ترابایت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد - 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 90,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 82,000ّIOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 50 میلی‌وات * حالت فعال ** 1.8 وات * حالت خواندن ** 2.0 وات * حالت نوشتن ** 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
اندازه و ابعاد - 2.38 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول - 4.8 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد - 7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 55 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 540,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - WD NVMe Architecture
نوع حافظه DRAM - SK Hynix DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
مجوزها و تاییدیه‌ها - UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 7.5 گرم