صفحه 8 از مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	-	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

OCPC VS سیلیکون پاور

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC
اندازه و ابعاد	-	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	63 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

OCPC VS توین موس

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	155 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز مک OS نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI
رنگ‌بندی	-	خاکستری، رزگلد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	30,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Metis Controller
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption (Class 0)
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	70 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

OCPC VS سیلیکون پاور

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1655 (TBW) ترابایت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	7.7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

OCPC VS توشیبا

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	-
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	-
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

OCPC VS ام جی

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	240 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	TLC
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	-	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	115 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

OCPC VS سیگیت

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	-	47 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه