مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 86 گرم

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D QLC NAND -
کنترلر (Controller) DM928 -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1.6 آمپر -
طول عمر متوسط 168 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI,RCM -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر -
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ نوشتن ترتیبی - 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 182,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک ** لینوکس

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر ویندوز ** مک ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS -
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر -
وزن محصول 35 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 182,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
اندازه و ابعاد - 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول - 47 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 7500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 6850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد - 20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)
وزن محصول - 45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
اندازه و ابعاد - 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6.6 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 400,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد - 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8.3 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 4300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 182,000IOPS -
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
اندازه و ابعاد - 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6.6 گرم