مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) Phison E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 -
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E16 Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT Phison E16
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 4975 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3975 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES RoHS, FCC, CE
اندازه و ابعاد 7 * 95 * 125 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048
قابلیت‌های جانبی - بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E16 Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 350,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 4975 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 256 (TBW) ترابایت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - Phison E16
نرخ نوشتن ترتیبی - 3975 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, FCC, CE

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D QLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) DM928 Phison E16
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 4975 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1.6 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 168 (TBW) ترابایت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI,RCM RoHS, FCC, CE
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ نوشتن ترتیبی - 3975 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
فناوری رمزنگاری - AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Phison E16 Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه 7500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه 6850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)
وزن محصول 7 گرم 45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Phison E16 Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E16 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 51 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT Phison E16
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 4975 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3975 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES RoHS, FCC, CE
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048
قابلیت‌های جانبی - بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D QLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) DM928 Phison E16
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 4975 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1.6 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 336 (TBW) ترابایت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI,RCM RoHS, FCC, CE
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ نوشتن ترتیبی - 3975 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
فناوری رمزنگاری - AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048