نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 4 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung In-House Controller | Phison E16 |
نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 4975 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 3000 مگابایت بر ثانیه | 3975 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 500,000IOPS | 700,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 480,000IOPS | 650,000IOPS |
حافظه DRAM | ندارد | ندارد |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | 3.3 ولت |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) | - 1,800,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلیوات در حالت Idle | - |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 |
قابلیتهای جانبی | - | - بهینه سازی مصرف انرژی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - محافظت سرتاسری دادهها (E2E) - قابلیت پایش دمای حافظه - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه |
مجوزها و تاییدیهها | FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI | RoHS, FCC, CE |
---|
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 3.8 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 8 گرم | 7 گرم |
نشانگر وضعیت LED | - | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟