| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 | PCIe 3.0 x4 / NVMe |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 2 ترابایت | 128 MB |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D NAND | TLC 3D NAND |
| کنترلر (Controller) | PHISON E26 | SMI |
| نرخ خواندن ترتیبی | 10000 مگابایت بر ثانیه | 2455 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 10000 مگابایت بر ثانیه | 1832 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 1,400,000IOPS | - |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 1,500,000IOPS | - |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| طول عمر متوسط | 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) | 1,500,000 (MTBF) ساعت |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | - | 3.3 ولت |
| میزان توان مصرفی | حداکثر 11 وات هنگام استفاده | - |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | دارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| قابلیتهای جانبی | الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از دادهها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) | قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی |
| اندازه و ابعاد | 3.5 * 22 * 80 میلیمتر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلیمتر با هیت سینک | 2.2 * 22 * 80 میلیمتر |
|---|
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده