| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 2 ترابایت | 1 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D NAND | Samsung 48-Layer MLC V-NAND |
| کنترلر (Controller) | PHISON E26 | Samsung Polaris |
| نرخ خواندن ترتیبی | 10000 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 10000 مگابایت بر ثانیه | 2100 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 1,400,000IOPS | 440,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 1,500,000IOPS | 360,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | دارد |
| نوع حافظه DRAM | DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش | 1GB LP DDR3 |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| طول عمر متوسط | 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) |
| میزان توان مصرفی | حداکثر 11 وات هنگام استفاده | 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلیوات * حالت آماده باش ** 5 میلیوات * حالت DevSlp |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| قابلیتهای جانبی | الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از دادهها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) | - |
| فناوری رمزنگاری | - | AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 |
| اندازه و ابعاد | 3.5 * 22 * 80 میلیمتر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلیمتر با هیت سینک | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | - | 8.5 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده