صفحه 4 از مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS msi
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E18
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS msi
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E18
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک ۲.۵"
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۵۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وزن محصول ۱۶۴ گرم -
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E18
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول ۶ گرم -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E18
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۴۶ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS 700,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول ۱۰ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E18
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۳۸.۲ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 1 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول ۶.۵ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۴۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول ۲.۸ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E18
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false